N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()
A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ;
B: uGSuGS(th),uGD< uGS(th) ;
C: uGSuGS(th) 。
A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ;
B: uGSuGS(th),uGD< uGS(th) ;
C: uGSuGS(th) 。
C
举一反三
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS>uGS(th),uGD> uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS>uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD>uGS(th) 。
- N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)
- N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>______, UDSQ>______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
内容
- 0
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 1
使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- 2
N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 3
增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0
- 4
当uGD＝uGS(th)时，增强型NMOS管导电沟道出现预夹断。