为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
举一反三
- 为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（ ）的掺杂。 A: 高浓度、浅结深 B: 高浓度、深结深 C: 低浓度、深结深 D: 低浓度、浅结深
- 减小基区串联电阻RB的主要技术途径包括： A: 采用双基极条； B: 减少无源基区掺杂浓度； C: 增加无源基区掺杂浓度； D: 增加基极条和发射极条之间的距离；
- 为了保证三极管正常工作，要求基极电流较小，所以基极电阻应该为较大阻值的电阻。
- 要减弱双极型晶体管基区宽度调变效应，可采取降低基区掺杂浓度、增大基区宽度等措施。
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小