缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区
缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区
下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
13、缓变基区晶体管的基区自建电场能加速载流子通过基区。
13、缓变基区晶体管的基区自建电场能加速载流子通过基区。
晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
三极管的三个区分别是（） A: 基区、集电区、发射区 B: 基区、集电区、发射极 C: 发射区、集电区、基极 D: 集电区、基区、发射结
三极管的三个区分别是（） A: 基区、集电区、发射区 B: 基区、集电区、发射极 C: 发射区、集电区、基极 D: 集电区、基区、发射结
基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。
中国大学MOOC: 在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（ ）。
对于漂移晶体管，与基区自建电场大小无关的是（ ）。 A: 基区宽度 B: 温度 C: 发射结边界靠近基区一侧的杂质浓度 D: 集电结边界靠近基区一侧的电流密度
对于漂移晶体管，与基区自建电场大小无关的是（ ）。 A: 基区宽度 B: 温度 C: 发射结边界靠近基区一侧的杂质浓度 D: 集电结边界靠近基区一侧的电流密度