关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-25 IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。 A: 正确 B: 错误 IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 ( )IGBT综合了MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。 中国大学MOOC: IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。 （）综合了MOSFET和GTR的输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。 IGBT综合了MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻态电压高、承受电流大的特点。 IGBT综合了MOSFET和GTR的优点,具有输入____、工作____、通态____、阻断____、承受电流大的优点。
