IGBT半桥式逆变电路的组成需要（ ）。 A: 1只（组）IGBT B: 2只（组）IGBT C: 3只（组）IGBT D: 4只（组）IGBT
IGBT半桥式逆变电路的组成需要（ ）。 A: 1只（组）IGBT B: 2只（组）IGBT C: 3只（组）IGBT D: 4只（组）IGBT
【多选题】关于IGBT下列说法正确的是() A. IGBT是不可控元器件。 B. 因为IGBT的特殊结构，IGBT具有很强的电流控制能力。 C. 开关状态的IGBT工作在有源区。 D. IGBT是全控型电力电子器件
【多选题】关于IGBT下列说法正确的是() A. IGBT是不可控元器件。 B. 因为IGBT的特殊结构，IGBT具有很强的电流控制能力。 C. 开关状态的IGBT工作在有源区。 D. IGBT是全控型电力电子器件
IGBT导通时撤去栅极电压,IGBT依然导通
IGBT导通时撤去栅极电压,IGBT依然导通
IGBT短路振荡可能与IGBT模块的特性有关。(<br/>)
IGBT短路振荡可能与IGBT模块的特性有关。(<br/>)
【单选题】对于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)来说,下面说法错误的是 A. IGBT具有擎住效应 B. IGBT具有二次击穿效应 C. IGBT是电压驱动型电力电子器件 D. IGBT是复合型电力电子器件
【单选题】对于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)来说,下面说法错误的是 A. IGBT具有擎住效应 B. IGBT具有二次击穿效应 C. IGBT是电压驱动型电力电子器件 D. IGBT是复合型电力电子器件
关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
关于IGBT，下面（ ）正确。 A: IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管； B: IGBT存在电导调制效应； C: IGBT的开关速度较功率MOSFET快； D: IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
当IGBT的栅极电压大于开启电压时，IGBT导通
当IGBT的栅极电压大于开启电压时，IGBT导通
IGBT短路振荡可能与IGBT模块的结温有关。(<br/>)
IGBT短路振荡可能与IGBT模块的结温有关。(<br/>)
IGBT的特点说法不正确的是（ ） A: IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件 B: IGBT目前没有抗短路能力 C: IGBT是电压型驱动器件 D: IGBT的设计中需要提供过电压保护
IGBT的特点说法不正确的是（ ） A: IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件 B: IGBT目前没有抗短路能力 C: IGBT是电压型驱动器件 D: IGBT的设计中需要提供过电压保护
牵引逆变器、辅助逆变器的功率元件采用大功率电力电子器件是（） A: 发光二极管、二极管 B: IGBT、IGBT C: 二极管、三极管 D: 电阻、IGBT
牵引逆变器、辅助逆变器的功率元件采用大功率电力电子器件是（） A: 发光二极管、二极管 B: IGBT、IGBT C: 二极管、三极管 D: 电阻、IGBT