通常情况下,下面的半导体中具有闪锌矿结构的是(
)。
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: ZnO
)。
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: ZnO
C
举一反三
内容
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硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。 A: μGaAs＜μGe＜μSi B: μGe＜μSi＜μGaAs C: μSi＜μGe＜μGaAs D: 无法比较
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通常情况下,硅、锗半导体呈金刚石型结构;III-V族化合物,如GaAs,呈纤锌矿型结构。(<br/>)
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半导体晶体的晶胞具有（）对称性，Si、Ge、GaAs晶体为（）结构。用（）h，k，l表示晶胞晶面的方向。
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典型的半导体有（） A: Si B: AI C: Ge D: GaAs
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常见的半导体有（） A: Si B: Ge C: GaAs D: Al