GaAs为共价晶体,含有离子键。
GaAs为共价晶体,含有离子键。
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为( )。 A: μGaAs<μGe<μSi B: μGe<μSi<μGaAs C: μSi<μGe<μGaAs D: 无法比较
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为( )。 A: μGaAs<μGe<μSi B: μGe<μSi<μGaAs C: μSi<μGe<μGaAs D: 无法比较
在GaAs衬底上外延生长GaAs薄膜,称为()。 A: 同质结外延 B: 异质结外延 C: 正外延 D: 反外延
在GaAs衬底上外延生长GaAs薄膜,称为()。 A: 同质结外延 B: 异质结外延 C: 正外延 D: 反外延
与Si材料相比,GaAs具有哪些优点?
与Si材料相比,GaAs具有哪些优点?
GaAs相对Si的优点和缺点是什么?
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GaAs为共价晶体,含有离子键。 A: 正确 B: 错误
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与CMOS工艺相比,GaAs工艺有什么主要特点?
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GaAs是目前非常出色的半导体材料,其晶体结构属于()。
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智慧职教: 纯净的GaAs半导体,是一种本征半导体。
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典型的半导体有() A: Si B: AI C: Ge D: GaAs
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