增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在U
A: U＞U
B: U＜U
C: U=0
D: U＞U
A: U＞U
B: U＜U
C: U=0
D: U＞U
举一反三
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是____。 A: u GS大于U GS(th) B: u GS小于U GS(th) C: u GS大于U GS(off) D: u GS小于U GS(0ff)
- N()沟道增强型场效应管工作在恒流区时的漏源电压()u()DS()()。A.()大于零B.()大于()u()(()GS())()thC.()小于()u()(()GS())()thD.()大于()u()(()GS())()-u()(()GS())()th
- 为使NPN型三极管可靠截止，应使（）。 A: U<0，U<0 B: U>0，U>0 C: U<0，U>0 D: U>0，U<0
- NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。 A: U＞U＞U B: U＞U＞U C: U＜U＜U D: U＜U＞U
- PNP型晶体三极管处于放大状态时，各极电位关系必须满足（） A: U>U>U B: U C: U>U>U