某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
A: P沟道管，工作在可变电阻区
B: N沟道管，工作在放大区
C: P沟道管，工作在放大区
D: N沟道管，工作在可变电阻区
A: P沟道管，工作在可变电阻区
B: N沟道管，工作在放大区
C: P沟道管，工作在放大区
D: N沟道管，工作在可变电阻区
举一反三
- 某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在截止区 D: N沟道管，工作在截止区
- 某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: N沟道增强型管，工作在可变电阻区 B: N沟道耗尽型管，工作在放大区 C: P沟道增强型管，工作在截止区 D: P沟道耗尽型管，工作在放大区
- 若一个增强型N沟道MOS管，开启电压为3V，源极电位为0V，栅极电位为5V，漏极电位为______时，工作在可变电阻区。 A: 1V B: 3V C: 5V D: 7V
- 若P沟道结型场效应管工作在放大状态，则栅极电位（ ）于源极电位。
- 中国大学MOOC: 某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。