某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
A: N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B: N沟道耗尽型管，工作在放大区
C: P沟道增强型管，工作在截止区
D: P沟道耗尽型管，工作在放大区
A: N沟道增强型管，工作在可变电阻区
B: N沟道耗尽型管，工作在放大区
C: P沟道增强型管，工作在截止区
D: P沟道耗尽型管，工作在放大区
举一反三
- 某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在放大区 D: N沟道管，工作在可变电阻区
- 某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在截止区 D: N沟道管，工作在截止区
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 【填空题】某场效应管的开启电压 U GS(th) =2V ,则该管是 。 A . N 沟道增强型 MOS 管 B . P 沟道增强型 MOS 管 C . N 沟道耗尽型 MOS 管 D . P 沟道耗尽型 MOS 管
- 某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管