对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（ ）无关。
A: Q点
B: IDQ
C: 沟道宽长比
D: 夹断电压VP
A: Q点
B: IDQ
C: 沟道宽长比
D: 夹断电压VP
举一反三
- N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管...m与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的特性曲线如图所示，该管为： A: P沟道增强型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道结型场效应管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 【多选题】不加栅-源电压,存在导电沟道的场效应管是() A. P沟道增强型场效应管 B. N沟道耗尽型场效应管 C. P沟道结型场效应管 D. N沟道增强型场效应管
- N沟道耗尽型MOS场效应管的结构与N沟道增强型管子不同的是，在制造MOS场效应管时，在SiQ2绝缘层中掺入大量正离子，因此即使uGS=0，在正离子作用下P型跨导gm与Q点的位置有关系，Q点越高，gm越大