场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ

某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。

放大电路中的FET，首先能够确定的静态参数是 A: IGQ B: UGSQ C: IDQ D: UDSQ

对于N沟道增强型场效应管，其低频互导gm与（ ）无关。 A: Q点 B: IDQ C: 沟道宽长比 D: 夹断电压VP

rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。

rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。 A: 正确 B: 错误

下面哪些漏洞属于网络服务类安全漏洞：（） A: Windows2000中文版输入法漏洞 B: ISWeb服务存在的IDQ远程溢出漏洞 C: RPCDCOM服务漏洞 D: Web服务asp脚本漏洞

某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: P沟道结型管

工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导gm，下列说法正确的是 。 A: gm与IDQ成正比 B: gm与[img=34x27]1802d1f48404859.jpg[/img]C成正比 C: gm与UDS成正比 D: gm与[img=41x30]1802d1f493e8cea.jpg[/img]成正比

图示电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rd＝5kΩ，RL＝5kΩ。场效应管参数Kn＝3mA/V2，λ＝0。若IDQ＝0.37mA，那么电路的小信号电压增益约为_________，输出电阻约为__________。[img=289x146]1802d7ccb05a70f.jpg[/img] A: 5.25，5kW B: -5.25，2.5kW C: -5.25，5kW D: 5.25，2.5kW E: 1.85，2.5kW