下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。
A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的；
B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现；
C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零
D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的；
B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现；
C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零
D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
举一反三
- 下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
- 当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。 A: N沟道耗尽型 B: N沟道增强型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间只能加正向电压,才能建立起导电沟道,产生漏极电流。
- 对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。 A: MOS；结型 B: 增强型；结型 C: 增加型；耗尽型 D: 耗尽型；结型
- 对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为 场效应管和 场效应管。 A: MOS；结型 B: 增强型；结型 C: 增加型；耗尽型 D: 耗尽型；结型