从理论上分析，光栅上单位长度的刻痕数
举一反三
- 从理论上分析，光栅上单位长度的刻痕数（ ）。 A: 越多，谱线的分辨率不变。 B: 越多，谱线的分辨率越低。 C: 越少，谱线的分辨率越高。 D: 越多，谱线的分辨率越高。
- 以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，则：（ ）。
- 以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多， 光栅色散率变小，分辨率增高
- 中国大学MOOC: 以光栅作为单色器的色散元件，如果工艺精度良好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，那么（ ）。
- 以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，则：（分辨率R=KN，N是光栅被照亮部分的总刻痕数） A: 光栅色散率变大，分辨率增高 B: 光栅色散率变大，分辨率降低 C: 光栅色散率变小，分辨率降低 D: 光栅色散率变小，分辨率增高