关于PN结的电容效应，说法正确的是
A: 当PN结外加电压发生变化时，会引起空间电荷区正负电荷数目的变化，这种电容效应称为PN结的势垒电容
B: 当外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，相当于对势垒区“充电”
C: 由电荷在扩散区存储所形成的电容称为PN结的扩散电容
D: 正向电压增加时，正向电流增大，有较多的非平衡载流子在扩散区中积累起来，相当于对扩散区“充电”
A: 当PN结外加电压发生变化时，会引起空间电荷区正负电荷数目的变化，这种电容效应称为PN结的势垒电容
B: 当外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，相当于对势垒区“充电”
C: 由电荷在扩散区存储所形成的电容称为PN结的扩散电容
D: 正向电压增加时，正向电流增大，有较多的非平衡载流子在扩散区中积累起来，相当于对扩散区“充电”
举一反三
- 关于pn结势垒电容的以下说法正确的有(<br/>) A: pn结势垒电容可以看成是平行板电容器; B: 正向偏压时相当于电容充电过程; C: 正向偏压时相当于电容放电过程; D: pn结势垒电容的大小随着反偏电压增大而增大;
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- 下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（ ）。 A: 使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中 B: PN结外加正向偏压增大 C: PN结外加反向偏压减小 D: 使空间电荷区势垒宽度减小
- 下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（ ）。 A: 使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中 B: PN结外加正向偏压增大 C: PN结外加反向偏压减小 D: 使空间电荷区势垒宽度减小
- 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。