PN结的空间电荷区的电荷有()。
PN结的空间电荷区的电荷有()。
空间电荷区形成之后,正负电荷的互相作用,在空间电荷区中产生了一个()。 A: 电场 B: 电位 C: 电压 D: 电流
空间电荷区形成之后,正负电荷的互相作用,在空间电荷区中产生了一个()。 A: 电场 B: 电位 C: 电压 D: 电流
空间电荷极化是非均匀介质中,在电场作用下正负电荷发生的趋向有规则的运动过程,空间电荷重新分布而形成的。
空间电荷极化是非均匀介质中,在电场作用下正负电荷发生的趋向有规则的运动过程,空间电荷重新分布而形成的。
扩散电容反映的是PN结的空间电荷区电荷随外加电压的变化率。
扩散电容反映的是PN结的空间电荷区电荷随外加电压的变化率。
空间电荷区内的电荷是()。 A: 移动的 B: 固定的 C: 扩散的 D: 复合的
空间电荷区内的电荷是()。 A: 移动的 B: 固定的 C: 扩散的 D: 复合的
6、空间电荷极化是非均匀介质中,在电场作用下正负电荷发生的趋向有规则的运动过程,空间电荷重新分布而形成的。 A: 正确 B: 错误
6、空间电荷极化是非均匀介质中,在电场作用下正负电荷发生的趋向有规则的运动过程,空间电荷重新分布而形成的。 A: 正确 B: 错误
PN结的空间电荷区的电荷有( )。 A: 施主离子 B: 电子 C: 受主离子 D: 空穴
PN结的空间电荷区的电荷有( )。 A: 施主离子 B: 电子 C: 受主离子 D: 空穴
对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()
对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()
当外加在PN结上的电压发生变化是,空间电荷区的电荷量会随之变化,这说明PN结具有( )。
当外加在PN结上的电压发生变化是,空间电荷区的电荷量会随之变化,这说明PN结具有( )。
P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子
P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子