智慧职教: P沟道增强型绝缘栅场效应管的开启电压UGS(th)为( )。
举一反三
- 智慧职教: P沟道耗尽型绝缘栅场效应管的夹断电压UGS(off)为( )。
- 某场效应管的转移特性如图所示,则此场效应管为()。 A: 绝缘栅N沟道耗尽型 B: 绝缘栅P沟道耗尽型 C: 绝缘栅N沟道增强型 D: 绝缘栅P沟道增强型
- 关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是（ ）。 A: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 B: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 C: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。 D: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
- 某绝缘栅场效应管的符号如图所示,则该绝缘栅场效应管应为()。 A: N沟道增强型 B: N沟道耗尽型 C: P沟道耗尽型 D: P沟道增强型
- 绝缘栅场效应管可分为N沟道_______MOS管,P沟道增强型MOS管,______沟道耗尽型MOS管和P沟道______MOS管