N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS
A: UGS>;0
B: UGS<;0
C: UGS可正可负
A: UGS>;0
B: UGS<;0
C: UGS可正可负
举一反三
- N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS>;0。
- N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS<;0，UDS>;0 B: UGS>;0，UDS>;0 C: UGS<;0，UDS<;0 D: UGS>;0，UDS<;0
- N沟道结型场效应管工作时要求偏置电压UGS<0。（ ）