P沟道耗尽型MOS场效应管可以采用如下自偏压电路。[img=224x172]1803b4c64c335b2.png[/img]
举一反三
- 某场效应管的输出特性如图所示，该管为( )[img=267x206]17d607956294f2f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803c706faac2d1.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管