制备了一批突变pn结，给每个pn结不断增加反偏电压的值，直到pn结击穿。有的pn结发生雪崩击穿，有的pn结发生齐纳击穿。pn结发生雪崩击穿的电压普遍高于发生齐纳击穿的电压。
对
举一反三
- 关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是（） A: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿 B: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿 C: 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿 D: 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生
- PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR( )
- 二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
- PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR()。 A: 重掺杂 B: 轻掺杂 C: 较高 D: 较低
- PN结的可逆击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿
内容
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PN结的击穿机制有() A: 雪崩击穿 B: 齐纳击穿
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有关PN结的反向击穿，说法正确的是： A: PN结的反向击穿，有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿三种 B: 雪崩击穿、齐纳击穿属于电击穿，当外加电压撤除时，PN结能还原 C: 稳压二极管就是利用PN结的反向击穿原理制作的 D: 热击穿后，当温度降低后，PN结可还原。
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参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。
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PN结击穿的类型有雪崩击穿和（）等。 A: 雷电击穿 B: 齐纳击穿 C: 电压击穿 D: 电流击穿
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PN结击穿的两种类型是：雪崩击穿；（） A: 雪塌击穿 B: 齐纳击穿 C: 电压击穿 D: 电流击穿