PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR()。
A: 重掺杂
B: 轻掺杂
C: 较高
D: 较低
A: 重掺杂
B: 轻掺杂
C: 较高
D: 较低
举一反三
- PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR( )
- 关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是（） A: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿 B: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿 C: 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿 D: 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生
- 低掺杂 PN 结反向击穿为雪崩击穿。
- 制备了一批突变pn结，给每个pn结不断增加反偏电压的值，直到pn结击穿。有的pn结发生雪崩击穿，有的pn结发生齐纳击穿。pn结发生雪崩击穿的电压普遍高于发生齐纳击穿的电压。
- 下列关于PN结反向击穿的描述，错误的是 （ ）。 A: 雪崩击穿和齐纳击穿都属于电击穿，在允许的耗散功率内，击穿是可逆的; B: 一般情况下，雪崩击穿要求二极管掺杂浓度较高; C: 热击穿会导致二极管烧毁，应当避免; D: 通常，雪崩击穿的击穿电压高于齐纳击穿的击穿电压。