N沟道场效应管工作在变阻区时，其等效电阻与GSS有关，VGS越大，则等效电阻（）
举一反三
- N沟道MOSFET中,VGS越大,则沟道中的电子就越(),沟道电阻就越(),漏极电流就越()。
- 关于二极管的小信号模型，下列哪一个说法不正确？ A: 二极管的小信号模型就是一个电阻 B: 小信号模型中的微变等效电阻与静态工作点有关 C: 当静态电流越大时，所对应的微变等效电阻就越小 D: 当静态电流越大时，所对应的微变等效电阻就越大
- 当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时，iD 几乎仅决定于vGS。
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大