n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。
A: 可调电阻区的电压范围为VDSB: 近漏处比近源处的沟道厚度要小
C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系
D: VGS越大，沟道电阻越大
A: 可调电阻区的电压范围为VDS
C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系
D: VGS越大，沟道电阻越大
举一反三
- n沟增强型MOSFET处于可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 A: 可调电阻区的电压范围为VDS<VGS-VTH B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流IDS与VDS基本上是线性关系 D: VGS越大，沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（）。 A: 可调电阻区的电压范围为 B: 近漏处比近源处的沟道厚度要小 C: 此时沟道区呈现电阻特性，电流与基本上是线性关系 D: 越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大
- n沟增强型MOSFET源端接地，工作在可调电阻区时，以下说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['可调电阻区的电压范围为[img=132x22]18036f7dd8aa4fc.png[/img]', '近漏处比近源处的沟道厚度要小', '此时沟道区呈现电阻特性，电流[img=27x22]18036f7de16c892.png[/img]与[img=29x22]18036f7dea87386.png[/img]基本上是线性关系', '18036f7df2a3661.png越大，漏端沟道越来越薄，沟道电阻越大'], 'type': 102}
- P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。