N沟道增强型MOSFET 的VGS
0；零 截止
举一反三
- N沟道增强型MOSFET，当VGS>VT，并且VDS>VGS-VT时，当d、s之间形成导电沟道，此时iD基本保持不变，场效应管工作于输出特性曲线的_______区
- N型沟道增强型场效应管只有当VGS＞VT时才开始导电。（ ）
- 下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
- 下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（）。[img=837x179]17de6587a759474.png[/img] A: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET B: P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道 C: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
- 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。
内容
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当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时，iD 几乎仅决定于vGS。
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某场效应管的转移特性如图所示，该场效应管的类型是（）。[img=369x299]1802eb71405ca2e.png[/img] A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET
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某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（） A: P沟道增强型MOSFET B: P沟道JFET C: N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET
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中国大学MOOC: 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。
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具有以下转移特性图的场效应管是（ ）。[img=408x437]18034ed9e7fea86.png[/img] A: P沟道增强型MOSFET B: N沟道增强型MOSFET C: P沟道耗尽型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET