• 2022-07-28
    N沟道增强型MOSFET 的VGS
  • 0;零  截止

    内容

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      ‎当N沟道增强型场效应管工作在可变电阻区时,iD 几乎仅决定于vGS。‌

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      某场效应管的转移特性如图所示,该场效应管的类型是()。[img=369x299]1802eb71405ca2e.png[/img] A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET

    • 2

      某场效应管的转移特性如图所示,则该管是() A: P沟道增强型MOSFET B: P沟道JFET C: N沟道增强型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET

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      中国大学MOOC: 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。

    • 4

      具有以下转移特性图的场效应管是( )。[img=408x437]18034ed9e7fea86.png[/img] A: P沟道增强型MOSFET B: N沟道增强型MOSFET C: P沟道耗尽型MOSFET D: N沟道耗尽型MOSFET