杂质原子进入半导体硅以后，可以哪些种方式存在（）
A: 间隙式杂质
B: 替位式杂质
C: 过渡元素杂质
D: 稀土杂质
A: 间隙式杂质
B: 替位式杂质
C: 过渡元素杂质
D: 稀土杂质
举一反三
- 根据掺杂方式分类,半导体中的杂质可以分为(<br/>) A: 施主杂质 B: 受主杂质 C: 替位式杂质 D: 间隙式杂质
- 1、硼原子在硅中属于哪种杂质 A: 替位式杂质 B: 间隙式杂质 C: 层错 D: 位错
- 杂质原子可以分为间隙杂质和（）。
- 对于不同的杂质，其扩散方式不同，下面对元素扩散叙述错误的有 A: P、As等ⅢA和ⅤA族元素具有电活性，在硅中有较高的固溶度，多以填隙式方式进行扩散，扩撒速度慢，属于慢扩散杂质。 B: Na、K、Li等ⅠA和ⅧA族元素通常无电活性，多以替位式方式进行扩散，扩撒速度快。 C: Au、Cu、Ni等大多数过渡元素，常以填隙-替位式进行扩散，电活性杂质位于替位，无电活性杂质位于间隙位置。
- 磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是 A: 是深能级杂质 B: 是间隙杂质 C: 是施主杂质 D: 电离后带负电