图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。
N#绝缘栅#-4#3
举一反三
- 图所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为（________） 沟道（________） 型，Vp(或VT)=（________） V，Idss=（________） mA。[img=400x400]17e447c4cf53bf4.png[/img]
- 场效应管导电移特性曲线图3-3（a）所示，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型，VP或（VT）（________）；Idss=（________）mA。
- 场效应管导电移特性曲线图所示，判别以下内容：该管为（________）沟道（________）型（JFET，增强MOS、耗尽MOS），VP或（VT）=（________）；Idss=（________）mA。[img=255x361]17e447c4c277c31.png[/img]
- 一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
- 一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、IDSS分别为（ ）。[img=283x320]18034eda990f785.jpg[/img] A: VP=-4V ,IDSS=0 B: VT=-4V, IDSS=0 C: VP=-4V, IDSS=3mA D: VT=-4V, IDSS=3mA
内容
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有下列条件（）就可以决定结型场效应管的转移特性曲线。 A: VDS和VGS B: VDS和ID C: VP和IDSS D: VT和IDSS
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某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 2
一场效应管漏极特性如图所示，则（1）该场效应管管型为（________）（填写如“NDMOS”、“PEMOS”等）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。[img=232x175]17e447c4b506548.png[/img]
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某场效应管的转移特性如图 所示，则该管为（）[img=162x95]17e0b479a0077f1.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: N沟道结型场效应管 D: P沟道增强型MOS管
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某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启电压或夹断电压为______V。