某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启电压或夹断电压为______V。
N沟道$结型$-4V
举一反三
- 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（） A: 均为电压控制 B: 双极型晶体管为电压控制.场效应晶体管为电流控制 C: 均为电流控制 D: 双极型晶体管为电流控制.场效应品体管为电压控制
- 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。 A: 电压 B: 电流 C: 双极型为电压、场效应为电流 D: 双极型为电流、场效应为电压
- 一场效应管漏极特性如图3-2所示，试分析此管：（1）管型为（________）（________） 沟道（________） 型。(2)夹断电压或开启电压为（________）伏，Idss=（________）；gm=（________）。
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
内容
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MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
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放大（饱和）状态下，场效应型晶体管的输出电流和输入电压的（全值）关系为________。
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一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示，则它是( )沟道的效应管。（填写N/P）【图片】
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绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（） A: P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B: 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C: N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D: N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管