一场效应管漏极特性如图3-2所示，试分析此管：（1）管型为（________）（________） 沟道（________） 型。(2)夹断电压或开启电压为（________）伏，Idss=（________）；gm=（________）。
举一反三
- 一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
- 一场效应管漏极特性如图所示，则（1）该场效应管管型为（________）（填写如“NDMOS”、“PEMOS”等）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。[img=232x175]17e447c4b506548.png[/img]
- 某场效应管的漏极饱和电流IDSS=4mA，夹断电压Uth=3V，则该管为 沟道 型MOS管。
- 某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: P沟道结型管
- 某场效应晶体管的输出与转移特性曲线如下图所示，试说明该场效应晶体管为______沟道______型场效应管，其开启电压或夹断电压为______V。