结型场效应管和增强型MOS管的区别在于：即使栅源电压为零，结型场效应管的导电沟道 。
举一反三
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 当uGS=0时，漏源间不存在导电沟道的为 。 A: 增强型MOS管 B: 耗尽型MOS管 C: 结型场效应管
- 5、下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（ ）。 A: 结型场效应管 B: 耗尽型P沟道MOS管 C: 增强型N沟道MOS管 D: 耗尽型N沟道MOS管
- 已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管