请简述N沟道增强型MOS管的工作原理。
当栅-源之间不加电压时，漏源之间是两只背靠背的PN结，不存在导电沟道，MOS管不导通。 当栅-源之间加正向电压时，栅极电流为零，此电源排斥P型衬底靠近二氧化硅一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层，当栅-源电压增大时，衬底的自由电子会被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，这个薄层就构成了漏-源之间的导电沟道，从而器件开通。
举一反三
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 【多选题】绝缘栅型场效应管有哪几类? A. N沟道增强型MOS管 B. N沟道不变型MOS管 C. N沟道耗尽型MOS管 D. P沟道增强型MOS管 E. P沟道不变型MOS管 F. P沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】某 MOS 场效应管的转移特性如图 所示,则该 MOS 管为()。 A. 增强型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 C. 增强型 P 沟道 MOS 管 D. 耗尽型 P 沟道 MOS 管
- 某场效应管的特性曲线如图所示，该管为： A: P沟道增强型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道结型场效应管 D: N沟道耗尽型MOS管
内容
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某场效应管的电路符号如图1-2所示,该管为(<br/>)。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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绝缘栅场效应管可分为N沟道_______MOS管,P沟道增强型MOS管,______沟道耗尽型MOS管和P沟道______MOS管
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某场效应管的开启电压[img=60x24]17e441b005f5ad5.png[/img],则该管是_______。 A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管
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某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管