已知增强型MOS管的VTH=2 V，各极电压如图所示， MOS管工作在（ ）状态。[img=132x150]17e0bba3ba1fc39.png[/img]
A: 截至
B: 非饱和
C: 饱和
D: 击穿
A: 截至
B: 非饱和
C: 饱和
D: 击穿
举一反三
- 某场效应管的转移特性如图 所示，则该管为（）[img=162x95]17e0b479a0077f1.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: N沟道结型场效应管 D: P沟道增强型MOS管
- MOSFET转移特性曲线如图，iD参考方向为流入漏极，判断下列说法正确的是： 。[img=210x210]18030de2e3c5415.png[/img] A: 属于N沟道增强型MOS管 B: 属于P沟道增强型MOS管 C: 属于N沟道耗尽型MOS管 D: 属于P沟道耗尽型MOS管 E: VTN= -4 V F: VPN= -4 V G: VTP=-4 V H: VPP=-4 V
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803c706faac2d1.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 在如图所示的MOS管恒流源电路中，MOS管应该工作在（ ），且栅源电压保持不变。[img=324x275]1803c5aca50a9c4.png[/img] A: 饱和区（恒流源） B: 截止区 C: 可变电阻区 D: 饱和区或可变电阻区都可以