MOSFET转移特性曲线如图，iD参考方向为流入漏极，判断下列说法正确的是： 。[img=210x210]18030de2e3c5415.png[/img]
A: 属于N沟道增强型MOS管
B: 属于P沟道增强型MOS管
C: 属于N沟道耗尽型MOS管
D: 属于P沟道耗尽型MOS管
E: VTN= -4 V
F: VPN= -4 V
G: VTP=-4 V
H: VPP=-4 V
A: 属于N沟道增强型MOS管
B: 属于P沟道增强型MOS管
C: 属于N沟道耗尽型MOS管
D: 属于P沟道耗尽型MOS管
E: VTN= -4 V
F: VPN= -4 V
G: VTP=-4 V
H: VPP=-4 V
举一反三
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803db51e07059f.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。[img=160x133]1803c706faac2d1.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 【单选题】某 MOS 场效应管的转移特性如图 所示,则该 MOS 管为()。 A. 增强型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 C. 增强型 P 沟道 MOS 管 D. 耗尽型 P 沟道 MOS 管