金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
举一反三
- 金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
- 在理想情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触?? 金属和n型半导体接触,形成电子的反阻挡层,即为欧姆接触|金属和n型半导体接触,形成电子的阻挡层,即为欧姆接触|金属和p型半导体接触,形成空穴的阻挡层,即为欧姆接触|金属和p型半导体接触,形成空穴的反阻挡层,即为欧姆接触
- 如果金属和n型半导体接触,金属功函数小于半导体功函数,则接触后形成的空间电荷区为( ) A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层
- 在实际情况下,金属和半导体接触,如何形成欧姆接触? A: 金属和重掺杂的半导体接触,使得半导体一侧的势垒很薄,电子的输运主要以隧道效应为主,形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触,形成电子阻挡层,即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触,形成空穴阻挡层,即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触,形成电子反阻挡层,即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触,形成空穴反阻挡层,即为欧姆接触