金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
- 中国大学MOOC: 金属和非简并N型半导体接触形成的阻挡层具有整流特性。
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
- 如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层
- 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 A: 正确 B: 错误