在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
举一反三
- 中国大学MOOC: 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理以电离杂质散射为主。
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。 A: 电离杂质散射为主 B: 晶格散射为主 C: 本征激发起主要作用 D: 杂质完全电离
- 导体的电阻随温度的升高而增大,是因为导体的电阻率随温度的升高而增大。( )
- 金属导体的电阻随温度升高而增加，其主要原因是（）。 A: 电阻率随温度升高而增大 B: 导体的截面积随温度升高而增大 C: 导体长度随温度升高而增大 D: 导体长度随温度升高而减小