在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理以电离杂质散射为主。
举一反三
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。 A: 电离杂质散射为主 B: 晶格散射为主 C: 本征激发起主要作用 D: 杂质完全电离
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
- 中国大学MOOC: 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。
- 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（） A: 杂质电离和电离杂质散射 B: 本征激发和晶格散射 C: 晶格散射 D: 本征激发
- 关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。 A: 杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降 B: 低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降 C: 高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降 D: 当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素