UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
举一反三
- Zn1+x O在还原气氛中可形成（ ）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（ ），如果减少周围氧气的分压，Zn1+x O的密度将（ ）。
- 在UO2+x晶体中，当氧分压不变时，温度增加，缺陷浓度 ，晶体密度 。
- 在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（）。 A: 1/6 B: -1/6 C: 1/4 D: -1/4
- 非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关，如果增大周围氧气的分 压. 非化学计量化合物 [tex=3.214x1.214]c0QPMm3FpbLWHjSnWlU4GQ==[/tex] 及 [tex=3.357x1.214]Vk2gMW8Ox6X5Y+qgG8J8eQ==[/tex] 的密度将发生怎么样的变化？增大还是减小? 为什么?
- 在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为 。A 1/6 B -1/6 C 1/4 D -1/4 A: 1/6 B: -1/6 C: 1/4 D: -1/4