Zn1+x O在还原气氛中可形成（ ）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（ ），如果减少周围氧气的分压，Zn1+x O的密度将（ ）。
举一反三
- UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
- 如果减少周围氧气的分压，Zn1+xO的密度将（ ）。
- 若有一个变价氧化物XO，在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为：X：O＝1.1:1，则其化学式应为（ ）
- 在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（）。 A: 1/6 B: -1/6 C: 1/4 D: -1/4
- \( {1 \over {1 + x}} \)的麦克劳林公式为（ ）。 A: \( {1 \over {1 + x}} = 1 + x + { { {x^2}} \over 2} + \cdots + { { {x^n}} \over {n!}} + o\left( { { x^n}} \right) \) B: \( {1 \over {1 + x}} = 1 + x + {x^2} + \cdots + {x^n} + o\left( { { x^n}} \right) \) C: \( {1 \over {1 + x}} = 1 - x + {x^2} - \cdots + {( - 1)^n}{x^n} + o\left( { { x^n}} \right) \) D: \( {1 \over {1 + x}} = 1 - x - { { {x^2}} \over 2}- \cdots - { { {x^n}} \over {n!}} + o\left( { { x^n}} \right) \)