如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （ ）
A: 对
B: 错
A: 对
B: 错
举一反三
- 在CaF2晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV，肖特基缺陷形成能为5.5eV，若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为杂质缺陷。
- 在CaF2晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV，肖特基缺陷形成能为5.5eV，若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为杂质缺陷。 A: 正确 B: 错误
- 在Al2O3晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV，肖特基缺陷形成能为2.8eV，若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为热缺陷。
- 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A: 2.21×10-24 B: 1.33×10-31 C: 1.72×10-4 D: 1.41×10-5
- 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A: 1.33×10-31 B: 1.41×10-5 C: 1.72×10-4 D: 2.21×10-24