在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中杂质缺陷占优势？( )
举一反三
- 在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，且MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( ) A: 无法计算 B: 杂质缺陷 C: 相等 D: 热缺陷
- 如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （ ） A: 对 B: 错
- 在Al2O3晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为5.5eV，肖特基缺陷形成能为2.8eV，若该晶体中还含有百万分之一的ZrO2杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为热缺陷。
- 在CaF2晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV，肖特基缺陷形成能为5.5eV，若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为杂质缺陷。
- 若在NaCl晶体中，含有0.02% mol的CaCl2杂质，则在800℃时，NaCl晶体中占优势的缺陷是？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4 eV。 A: 杂质缺陷 B: 肖特基缺陷 C: 弗伦克尔缺陷 D: 非化学计量缺陷