在熔体析晶的过程中，为获得尺寸、数量合适的晶粒，需严格控制过冷度，为获得尺寸大而数量少的晶粒，在控制过冷度时，需使析晶温度控制在（ ）。
A: 晶体生长速率较大而成核速率相对较小处
B: 成核速率较小且晶体生长速率较小处
C: 晶体生长速率较小而成核速率较大处
D: 成核速率较大且晶体生长速率较大处
A: 晶体生长速率较大而成核速率相对较小处
B: 成核速率较小且晶体生长速率较小处
C: 晶体生长速率较小而成核速率较大处
D: 成核速率较大且晶体生长速率较大处
举一反三
- 过冷度对熔体析晶过程中晶粒尺寸大小的影响是( ) A: 过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒尺寸越大 B: 过冷度控制在晶体生长速率较小处,则晶粒尺寸越大 C: 过冷度控制在成核速率较小处,则晶粒尺寸越小 D: 过冷度控制在晶体生长速率较大处,则晶粒尺寸越大
- 过冷度对熔体析晶过程中晶粒数目多少的影响是( ) A: 过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒数目越多 B: 过冷度控制在成核速率较小处,则晶粒数目越多 C: 过冷度控制在成核速率较大处,则晶粒数目越少 D: 过冷度控制在晶体生长速率较大处,则晶粒数目越多
- 熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T有关，只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比，成核速率曲线的峰值一般位于_____。 A: 较大过冷度⊿T处 B: 较小过冷度⊿T处 C: 同一过冷度⊿T处 D: 不能确定
- 熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率与晶体生长速率两曲线的重叠区通常称为“析晶区”。当析晶热处理温度设在“析晶区”中较高的过冷度⊿T处，其析晶现象______。 A: 晶粒多而细 B: 晶粒少而粗 C: 晶粒多而粗 D: 晶粒少而细
- 熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率与晶体生长速率两曲线的重叠区通常称为“析晶区”。当析晶热处理温度设在“析晶区”中较低的过冷度⊿T处，其析晶现象______。 A: 晶粒多而细 B: 晶粒多而细 C: 晶粒多而粗 D: 晶粒少而细