中国大学MOOC: 熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
中国大学MOOC: 熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差
熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差 A: 沸点 B: 三相点 C: 熔点 D: 平衡温度
熔体生长晶体时，过冷度定义为晶体生长温度与 之差 A: 沸点 B: 三相点 C: 熔点 D: 平衡温度
层生长理论不能解释的晶体生长现象有：
层生长理论不能解释的晶体生长现象有：
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。
晶体生长作为相变过程可分为哪些？ A: 固相生长 B: 液相生长 C: 气相生长 D: 固态生长
晶体生长作为相变过程可分为哪些？ A: 固相生长 B: 液相生长 C: 气相生长 D: 固态生长
釉基质蛋白在釉质发育中的作用主要包括 A: 调节晶体的生长 B: 形成交联网状结构 C: 启动釉质矿化 D: 晶体生长的支持相
釉基质蛋白在釉质发育中的作用主要包括 A: 调节晶体的生长 B: 形成交联网状结构 C: 启动釉质矿化 D: 晶体生长的支持相
下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。 A: 当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。 B: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。 C: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。 D: 当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
下列关于成分过冷区的大小对单相合金的晶体生长方式的影响正确的是______。 A: 当界面前沿无成分过冷时，晶体趋向于平面生长。 B: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。 C: 当界面前沿存在窄成分过冷区时，晶体趋向柱状树枝晶生长。 D: 当界面前沿存在宽成分过冷区时，晶体趋向于胞状生长。
晶体生长过程中生长速率较高的晶面将保存下来，生长速率较低的晶面将消失。
晶体生长过程中生长速率较高的晶面将保存下来，生长速率较低的晶面将消失。
结晶过程包括（）两个阶段。 A: 静置 B: 晶体颗粒变大 C: 成核 D: 晶体生长
结晶过程包括（）两个阶段。 A: 静置 B: 晶体颗粒变大 C: 成核 D: 晶体生长
晶体生长系统中，假设驱动力长是均匀的，生长速率较高的晶面会________，而生长速率较低的晶面将________。
晶体生长系统中，假设驱动力长是均匀的，生长速率较高的晶面会________，而生长速率较低的晶面将________。