在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）
A: 吸留
B: 混晶
C: 包夹
D: 继沉淀
A: 吸留
B: 混晶
C: 包夹
D: 继沉淀
举一反三
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）?xml:namespace A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在重量分析中,杂质离子和待测离子的半径相近,在沉淀过程中往往形成 A: 混晶 B: 吸留 C: 包夹 D: 继沉淀
- 7.2-1在沉淀过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀