在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）
A: 吸留
B: 混晶
C: 包夹
D: 继沉淀
A: 吸留
B: 混晶
C: 包夹
D: 继沉淀
B
举一反三
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包夹 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）?xml:namespace A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
- 在重量分析中,杂质离子和待测离子的半径相近,在沉淀过程中往往形成 A: 混晶 B: 吸留 C: 包夹 D: 继沉淀
- 7.2-1在沉淀过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道形成（）。 A: 吸留 B: 混晶 C: 包藏 D: 后沉淀
内容
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 ( ）
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸附共沉淀 B: 混晶共沉淀 C: 包藏共沉淀 D: 后沉淀
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重量分析中,如待测物质中所含杂质离子与待测的离子半径相近,在沉淀过程中易形成( )。 A: 混晶 B: 吸留 C: 包夹 D: 后沉淀
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在重量分析中，若待测物中特测离子的半径与所含的杂质离子的半径与所含的杂质离子的半径相近，在沉淀过程中往往形成混晶。
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在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子，能进入晶格中形成