F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错运动方向必定同向
对
举一反三
内容
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关于位错增殖正确的说法是() A: 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级 B: 位错源只有Frank-Read这一种类型 C: F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力 D: F-R源中位错线弯曲成半圆状态时,两端点位错必为同性质、异号位错
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为使 F-R 位错源动作，外应力需克服位错线弯曲时由线张力所引起的阻力而做功。
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F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力
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为使 F-R 位错源动作，外应力需克服位错线弯曲时由线张力所引起的阻力而做功。 A: 正确 B: 错误
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F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力 A: 正确 B: 错误