在P侧，注入的非平衡少数载流子（）从导带向下跃迁与价带中的空穴复合，发射能量为Eg的光子。
A: 空穴
B: 电子
C: 离子
D: 分子
A: 空穴
B: 电子
C: 离子
D: 分子
举一反三
- 5. 非平衡载流子就是（ ）。A. 处于导带还未与价带空穴复合的电子 B. 不稳定的电子-空穴对C. 不停运动着的载流子 D. 偏离热平衡状态的载流子 A: A B: B C: C D: D
- 聚合物电致发光机理 A: 载流子注入 B: 载流子、空穴迁移向发光层 C: 载流子、空穴复合产生激子 D: 能量传递给发光高分子，激子激发电子跃迁，辐射发光
- 关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
- 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（） A: 非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动 B: 非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动 C: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动 D: 平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
- 在P型半导体中： A: 空穴为多数载流子 B: 空穴为少数载流子 C: 自由电子为少数载流子 D: 主要靠空穴导电