关于“光注入”，以下说法错误的是：
A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C: 非平衡电子和空穴成对产生
D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C: 非平衡电子和空穴成对产生
D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
举一反三
- 入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。
- 关于本征吸收，以下说法正确的是？ A: 是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对 B: 产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度 C: 是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量 D: 产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
- 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（） A: 非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动 B: 非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动 C: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动 D: 平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
- 关于光生伏特效应叙述中错误的是（） A: 用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结 B: p、n区都产生电子-空穴对，产生非平衡载流子 C: 非平衡载流子不破坏原来的热平衡 D: 非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散
- 在P侧，注入的非平衡少数载流子（）从导带向下跃迁与价带中的空穴复合，发射能量为Eg的光子。 A: 空穴 B: 电子 C: 离子 D: 分子