进入烧结后期的标志是_______________。
A: 气孔闭合
B: 致密化速率下降
C: 晶粒生长
D: 密度下降
A: 气孔闭合
B: 致密化速率下降
C: 晶粒生长
D: 密度下降
A,B
举一反三
- 在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
- 二次再结晶过程对材料性能的影响包括（ ）。 A: 烧结体的机械,电学性能下降 B: 气孔进入晶粒内部，成为孤立闭气孔 C: 继续烧结时肧体易膨胀而开裂 D: 坯体快速致密化
- 试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
- 有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？ A: 气孔能够抑制晶粒生长。 B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部 C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。 D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
- 纳米陶瓷复合材料的热压烧结是指 A: 在烧结过程中使用抽真空，阻止纳米陶瓷在致密化之前发生晶粒生长，制备纳米陶瓷复合材料的方法 B: 在烧结过程中先抽真空再通低压氩气，阻止纳米陶瓷在致密化之前发生晶粒生长，制备纳米陶瓷复合材料的方法 C: 在烧结过程中通入低压氮气，阻止纳米陶瓷在致密化之前发生晶粒生长，制备纳米陶瓷复合材料的方法 D: 在烧结过程中使用压力，阻止纳米陶瓷在致密化之前发生晶粒生长，制备纳米陶瓷复合材料的方法
内容
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烧结制品在烧结后期晶粒长大，对烧结致密化有重要作用。但若二次再结晶或间断性长大过快，会因晶粒变粗、晶界变宽而出现反致密化现象并影响制品的显微结构。这时可通过加入能抑制晶粒异常长大的添加物，来促进致密化进程 。
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材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
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烧结初期发生了以下_____________________显微结构变化。 A: 晶粒生长 B: 气孔生长 C: 颈部生长 D: 晶界生长
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在材料的烧结过程中，不会发生晶粒生长的烧结阶段是 A: 烧结初期 B: 烧结中期 C: 烧结后期 D: 烧结中后期
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在材料的烧结过程中，不会发生晶粒生长的烧结阶段是 A: 烧结初期 B: 烧结中期 C: 烧结后期 D: 烧结中后期