有关陶瓷烧结中的晶粒生长，下面哪个说法错误？
A: 气孔能够抑制晶粒生长。
B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部
C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。
D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
A: 气孔能够抑制晶粒生长。
B: 晶界移动速率过快，容易包裹气孔在晶粒内部
C: 晶界弯曲导致晶界移动有驱动力。
D: 为了提高烧结密度，不仅温度应越高越好，而且粉体应该大小不一。
举一反三
- 材料烧结时,晶粒生长是晶界移动的结果,为保证晶粒正常生长,应控制晶界移动速率与气孔移动速率,当()时,晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb< D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18032fe8cb9ff0a.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18032fe8d3c89dc.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: VbVp C: VbVp D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]18033b1fd7999df.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]18033b1fe08f0ed.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>>Vp C: Vb<<Vp D: 二者没有关系
- 材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率[img=16x22]17de924466ed022.png[/img]与气孔移动速率[img=17x25]17de92447391b93.png[/img]，当（ ）时，晶粒正常长大。 A: Vb=Vp B: Vb>;>;Vp C: Vb<;<;Vp D: 二者没有关系
- 烧结初期发生了以下_____________________显微结构变化。 A: 晶粒生长 B: 气孔生长 C: 颈部生长 D: 晶界生长