下面关于可编程逻辑器件工艺描述正确的是________________。
A: 采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
B: 采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程。
C: 采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
D: 采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
A: 采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
B: 采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程。
C: 采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
D: 采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
