下面关于可编程逻辑器件工艺描述正确的是________________。
A: 采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
B: 采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程。
C: 采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
D: 采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
A: 采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
B: 采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程。
C: 采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
D: 采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
C
举一反三
内容
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以下不同编程工艺的器件中，可多次编程使用的是（ ）。 A: 熔丝型器件 B: 反熔丝型器件 C: EPROM D: EEPROM
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全场可编程（与、或阵列皆可编程）的可编程逻辑器件有____。
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现代可编程逻辑器件中主要采用的编程工艺有： A: CMOS B: E2CMOS C: 熔丝式 D: 掩模式
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关于可编程逻辑器件的分类，下面说法正确的是（ ）。 A: PLA、PAL、GAL属于高密度可编程逻辑器件 B: FPGA基本上采用SRAM配置存储器方式编程 C: PLA、PAL基本上采用熔丝编程 D: CPLD基本上采用浮栅编程技术方式编程
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PLC的中文意思是(<br/>)。 A: 可编程逻辑控制器 B: 可编程器件 C: 可编程逻辑器件 D: 可编程只读存储器