在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。(A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度)
A: AB
B: BC
C: CA
D: CB
A: AB
B: BC
C: CA
D: CB
C
举一反三
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。(A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度) A: AB B: BC C: CA D: CB
- 智慧职教: 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度与( )关系十分密切。A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度与关系十分密切。(A.温度,B.掺杂工艺,C.杂质浓度)
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
内容
- 0
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度与 关系十分密切。
- 1
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_______,而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 A: 温度杂质浓度 B: 参杂浓度温度 C: 温度温度 D: 杂质的浓度杂质浓度
- 2
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。 A: 温度 B: 参杂工艺 C: 杂质浓度
- 3
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于(),而多数载流子的浓度则与()有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 E: 空穴 F: 自由电子
- 4
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷